IMW120R090M1H อินฟิเนียน

IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon

IMW120R090M1H อินฟิเนียน

มีอยู่
ส่งคําถาม
');*/ }); })
รายละเอียดสินค้า
การไต่ถาม
IMW120R090M1H อินฟิเนียน

การสูญเสียการสลับต่ํามาก
 ปราศจากเกณฑ์ในลักษณะของสถานะ
ช่วงแรงดันไฟฟ้าของแหล่งกําเนิดประตูกว้าง
แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์มาตรฐานเกต VGS (th) = 4.5V
แรงดันไฟฟ้าประตูปิด 0V สําหรับไดรฟ์เกทที่ง่ายและสะดวก
 dV/dt ที่ควบคุมได้อย่างเต็มที่
 ไดโอดตัวที่แข็งแกร่งสําหรับการสับเปลี่ยนอย่างหนัก
การสูญเสียการปิดอุณหภูมิโดยไม่ขึ้นกับอุณหภูมิ
"); });

เคล็ดลับในการรับใบเสนอราคาที่ถูกต้องจากซัพพลายเออร์ กรุณา รวม ต่อไปนี้ในการสอบถามของคุณ:
1. ข้อมูลส่วนบุคคลหรือข้อมูลทางธุรกิจ
2. ให้คําขอผลิตภัณฑ์โดยละเอียด
3. สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมสําหรับขั้นต่ําราคาต่อหน่วย ฯลฯ

โปรดตรวจสอบให้แน่ใจว่าข้อมูลติดต่อของคุณถูกต้อง ของคุณ ข้อความจะ ส่งตรงไปยังผู้รับและจะไม่ แสดงต่อสาธารณะ เราจะไม่แจกจ่ายหรือขายของคุณ ส่วนตัว ข้อมูลให้กับบุคคลที่สามโดยไม่มี การอนุญาตโดยชัดแจ้งของคุณ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง