LM358DR2G บน

LM358DR2G ON
LM358DR2G ON
LM358DR2G ON
LM358DR2G ON
LM358DR2G ON

LM358DR2G บน

มีอยู่
ส่งคําถาม
');*/ }); })
รายละเอียดสินค้า
การไต่ถาม
LM358DR2G บน

•เอาต์พุตป้องกันไฟฟ้าลัดวงจร
• ขั้นตอนอินพุตดิฟเฟอเรนเชียลที่แท้จริง
• การทํางานแบบจ่ายไฟเดี่ยว: 3.0 V ถึง 32 V
•กระแสอคซีนอินพุตต่ํา
•ชดเชยภายใน
• ช่วงโหมดทั่วไปขยายไปถึงอุปทานเชิงลบ
•การดําเนินการจัดหาเดี่ยวและแยก
• ที่หนีบ ESD บนอินพุตเพิ่มความทนทานของอุปกรณ์โดยไม่ส่งผลกระทบต่อการทํางาน
•คํานําหน้า NCV สําหรับยานยนต์และการใช้งานอื่น ๆ ที่ต้องการข้อกําหนดการเปลี่ยนแปลงไซต์และการควบคุมที่ไม่ซ้ํากัน ผ่านการรับรอง AEC−Q100 และรองรับ PPAP
•อุปกรณ์เหล่านี้ปราศจาก Pb, ปราศจากฮาโลเจน / BFR ฟรีและเป็นไปตามมาตรฐาน RoHS
"); });

เคล็ดลับในการรับใบเสนอราคาที่ถูกต้องจากซัพพลายเออร์ กรุณา รวม ต่อไปนี้ในการสอบถามของคุณ:
1. ข้อมูลส่วนบุคคลหรือข้อมูลทางธุรกิจ
2. ให้คําขอผลิตภัณฑ์โดยละเอียด
3. สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมสําหรับขั้นต่ําราคาต่อหน่วย ฯลฯ

โปรดตรวจสอบให้แน่ใจว่าข้อมูลติดต่อของคุณถูกต้อง ของคุณ ข้อความจะ ส่งตรงไปยังผู้รับและจะไม่ แสดงต่อสาธารณะ เราจะไม่แจกจ่ายหรือขายของคุณ ส่วนตัว ข้อมูลให้กับบุคคลที่สามโดยไม่มี การอนุญาตโดยชัดแจ้งของคุณ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

ลิงค์ที่เกี่ยวข้อง

ชิปเกรดยานยนต์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิป FPGA ชิป FPGA อินฟิเนียนไซเปรส NXP เซมิคอนดักเตอร์ ชิปเซมิคอนดักเตอร์ ชิปเซมิคอนดักเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์รถยนต์ ชิปยานยนต์