MBRM110LT1G บน

MBRM110LT1G ON
MBRM110LT1G ON
MBRM110LT1G ON
MBRM110LT1G ON
MBRM110LT1G ON

MBRM110LT1G บน

มีอยู่
ส่งคําถาม
');*/ }); })
รายละเอียดสินค้า
การไต่ถาม
MBRM110LT1G บน

คุณสมบัติ  VF ต่ําเป็นพิเศษ  อันดับ 1 ในตลาดด้วยวงจรเรียงกระแส Schottky 10 VR  โปรไฟล์ต่ํา - ความสูงสูงสุด 1.1 มม.  รอยเท้าขนาดเล็ก - พื้นที่รอยเท้า 8.45 มม. 2  ความต้านทานความร้อนต่ําพร้อมเส้นทางความร้อนโดยตรงของแม่พิมพ์บนฮีทซิงก์แคโทดที่สัมผัส  คะแนน ESD:  โมเดลร่างกายมนุษย์ > 4000 V (คลาส 3)  รุ่นเครื่อง > 400 V (คลาส C)  AEC - Q101 ที่ผ่านการรับรองและรองรับ PPAP  คํานําหน้า NRVB สําหรับยานยนต์และการใช้งานอื่น ๆ ที่ต้องการข้อกําหนดในการเปลี่ยนแปลงไซต์และการควบคุมที่ไม่เหมือนใคร  แพ็คเกจทั้งหมดปราศจาก Pb-Free* ลักษณะทางกล:  POWERMITE เป็น JEDEC จดทะเบียนเป็น D0−216AA  เคส: อีพ็อกซี่ขึ้นรูป  อีพ็อกซี่ตรงตามมาตรฐาน UL 94 V−0 @ 0.125 นิ้ว  น้ําหนัก: 62 มก. (โดยประมาณ)  อุณหภูมิตะกั่วและพื้นผิวการติดตั้งเพื่อการบัดกรี: 260C สูงสุดเป็นเวลา 10 วินาที
"); });

เคล็ดลับในการรับใบเสนอราคาที่ถูกต้องจากซัพพลายเออร์ กรุณา รวม ต่อไปนี้ในการสอบถามของคุณ:
1. ข้อมูลส่วนบุคคลหรือข้อมูลทางธุรกิจ
2. ให้คําขอผลิตภัณฑ์โดยละเอียด
3. สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมสําหรับขั้นต่ําราคาต่อหน่วย ฯลฯ

โปรดตรวจสอบให้แน่ใจว่าข้อมูลติดต่อของคุณถูกต้อง ของคุณ ข้อความจะ ส่งตรงไปยังผู้รับและจะไม่ แสดงต่อสาธารณะ เราจะไม่แจกจ่ายหรือขายของคุณ ส่วนตัว ข้อมูลให้กับบุคคลที่สามโดยไม่มี การอนุญาตโดยชัดแจ้งของคุณ

สินค้าที่เกี่ยวข้อง

ลิงค์ที่เกี่ยวข้อง

ชิปเกรดยานยนต์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิป FPGA ชิป FPGA อินฟิเนียนไซเปรส NXP เซมิคอนดักเตอร์ ชิปเซมิคอนดักเตอร์ ชิปเซมิคอนดักเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์รถยนต์ ชิปยานยนต์