PMR18EZPFV4L00 โรห์ม
| มีอยู่ |
PMR18EZPFV4L00 โรห์ม
1) ช่วงความต้านทานโอห์มมิกต่ําพิเศษ (1mΩ ~)
2) ปรับปรุงความแม่นยําในการตรวจจับกระแสไฟฟ้าโดยโครงสร้างที่ตัดแต่งน้อยลง
3) ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิความต้านทานต่ําพิเศษ
4) โครงสร้างชิปที่เป็นเอกลักษณ์ช่วยลดความเครียดจากความร้อนระหว่างการหมุนเวียนอุณหภูมิส่งผลให้มีความน่าเชื่อถือมากขึ้น
5) ตัวต้านทาน ROHM ได้รับการรับรอง ISO9001 / IAFT16949
6) สอดคล้องกับ AEC-Q200
1) ช่วงความต้านทานโอห์มมิกต่ําพิเศษ (1mΩ ~)
2) ปรับปรุงความแม่นยําในการตรวจจับกระแสไฟฟ้าโดยโครงสร้างที่ตัดแต่งน้อยลง
3) ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิความต้านทานต่ําพิเศษ
4) โครงสร้างชิปที่เป็นเอกลักษณ์ช่วยลดความเครียดจากความร้อนระหว่างการหมุนเวียนอุณหภูมิส่งผลให้มีความน่าเชื่อถือมากขึ้น
5) ตัวต้านทาน ROHM ได้รับการรับรอง ISO9001 / IAFT16949
6) สอดคล้องกับ AEC-Q200
โปรดตรวจสอบให้แน่ใจว่าข้อมูลติดต่อของคุณถูกต้อง ของคุณ ข้อความจะ ส่งตรงไปยังผู้รับและจะไม่ แสดงต่อสาธารณะ เราจะไม่แจกจ่ายหรือขายของคุณ ส่วนตัว ข้อมูลให้กับบุคคลที่สามโดยไม่มี การอนุญาตโดยชัดแจ้งของคุณ
