TPS73201QDRBRQ1 TI • ผ่านการรับรองสําหรับการใช้งานยานยนต์ • AEC-Q100 ผ่านการรับรองด้วยผลลัพธ์ต่อไปนี้ – อุณหภูมิอุปกรณ์เกรด 0: –40°C ถึง 150°C ช่วงอุณหภูมิในการทํางานโดยรอบ – การจําแนกประเภทอุปกรณ์ HBM ระดับ 2 – ระดับการจําแนกประเภท CDM ของอุปกรณ์ C4B – ระดับการจําแนกประเภทอุปกรณ์ MM M2 • เสถียรโดยไม่มีตัวเก็บประจุเอาต์พุตหรือค่าหรือประเภทของตัวเก็บประจุใดๆ • ช่วงแรงดันไฟฟ้าขาเข้า: 1.7 V ถึง 5.5 V • แรงดันไฟฟ้าดรอปเอาต์ต่ําเป็นพิเศษ: 40-mV ทั่วไปที่ 250 mA • การตอบสนองชั่วคราวโหลดที่ยอดเยี่ยม—มีหรือไม่มีตัวเก็บประจุเอาต์พุตเสริม • โทโพโลยี NMOS ใหม่ให้กระแสไฟรั่วย้อนกลับต่ํา • เสียงรบกวนต่ํา: 30-μVRMS ทั่วไป (10 kHz ถึง 100 kHz) • ความแม่นยําเริ่มต้น 0.5% • ความแม่นยําโดยรวม 1% (สาย โหลด และอุณหภูมิ) • IQ สูงสุดน้อยกว่า 1-μA ในโหมดปิดเครื่อง • การปิดระบบระบายความร้อนและการป้องกันขีดจํากัดกระแสต่ําสุดและสูงสุดที่ระบุ • มีให้เลือกหลายรุ่นแรงดันเอาต์พุต – เอาต์พุตคงที่ 1.2 V, 1.5 V, 1.6 V, 1.8 V, 2.5 V, 3 V, 3.3 V และ 5 V – เอาต์พุตที่ปรับได้ตั้งแต่ 1.2 V ถึง 5.5 V – มีเอาต์พุตแบบกําหนดเอง 2 การใช้งาน • อุปกรณ์แบบพกพาและใช้พลังงานจากแบตเตอรี่ • Post-Regulation สําหรับแหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง • วงจรที่ไวต่อเสียงรบกวน เช่น VCO • การควบคุมจุดโหลดสําหรับ DSP, FPGA, ASIC และไมโครโปรเซสเซอร์ 3 คําอธิบาย ตระกูล TPS732-Q1 ของตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าแบบดรอปเอาต์ต่ํา (LDO) ใช้โทโพโลยีใหม่: องค์ประกอบผ่าน NMOS ในการกําหนดค่าผู้ติดตามแรงดันไฟฟ้า โทโพโลยีนี้มีความเสถียรโดยใช้ตัวเก็บประจุเอาต์พุตที่มี ESR ต่ํา และยังอนุญาตให้ทํางานได้โดยไม่ต้องใช้ตัวเก็บประจุ โทโพโลยียังให้การอุดตันย้อนกลับสูง (กระแสย้อนกลับต่ํา) และกระแสพินกราวด์ที่เกือบจะคงที่เหนือค่ากระแสไฟขาออกทั้งหมด อุปกรณ์ตระกูล TPS732-Q1 ใช้กระบวนการ BiCMOS ขั้นสูงเพื่อให้ได้ความแม่นยําสูงในขณะที่ให้แรงดันไฟฟ้าดรอปเอาต์ต่ําและกระแสพินกราวด์ต่ํา การใช้กระแสไฟฟ้าเมื่อไม่ได้เปิดใช้งานจะต่ํากว่า 1 μA และเหมาะสําหรับการใช้งานแบบพกพา สัญญาณรบกวนเอาต์พุตที่ต่ํามาก (30 μVRMS พร้อม 0.1-μF CNR) เหมาะอย่างยิ่งสําหรับการจ่ายไฟ VCO อุปกรณ์เหล่านี้ได้รับการปกป้องโดยการปิดระบบระบายความร้อนและขีดจํากัดกระแสไฟแบบพับกลับ